SDRAM的深入理解

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SDRAM的深入理解 转载

WhiteAnts 2008-06-19 09:20:37 博主文章分类:嵌入式软硬件

文章标签 职场 存储 休闲 SDRAM DDRAM 文章分类 C/C++ 后端开发

我了解事物喜欢从底层根本去了解,而不是你说什么我照做就行了,我会形成一些探寻究竟的念头,也会产生很多疑问。 讨论之前当然要先看过某厂的datasheet,我看的是Micron。 按上面说,terminate和precharge都能掐断burst读或写。我也是第一次用Sdram,根据我做的项目数据流特点,我一上来就只选用了full-page模式。因为full-page读写不带auto-precharge,而且要用户自己来终止,比较了一下,对于full-page而言,用terminate显得直接方便(时序清晰明了),而precharge和时间有关(不单单是时钟周期的个数关系),datasheet的时序图中有一张是full-page write,用的也是terminate,所以就选用了terminate。 结果实验下来,写入的数据一个也没读出来,全是FF。心理没谱了。揣摸了几天,猜想问题在precharge上,尝试在terminate后面加上precharge,实验就成功了!原来尽管terminate和precharge都能终止页爆发,但terminate只是单纯的终止,不能完全代替precharge,用了terminate后还要跟上precharge才行。资料上时序图恰好在页模式时只画了terminate,没跟上precharge,在文字讲解页模式写的时候光说都能终止,也没强调还要precharge。 导致误会的根本原因是这份datasheet只是应用方面的说教,而不是sdram原理的详细描述。但SDRAM原理的详细讲解到现在也没找着,看到的资料都是外文翻译过来后互相抄的!千篇一律!比如precharge,从字面看是“预充电”,可资料上的解释都是“Deactivate row in bank or banks”及其中文翻译。后来在论坛上也看到新手们在问:precharge和refresh到底都作了什么,有什么区别? 我根据存动态内存存储单元的基本原理 某些电路相当于“口线供能电容”,此电容容量远比数据存储电容大,用于给口线的读写驱动提供能量,器件数据位宽是几位就只需要几乘以4个(4来源于有4个banks)。下面就来自圆其说: 初始化按照要求就先precharge了,以后每次读写之前都要active。active做两件事,既选通了相关行,又将驱动的能源准备好。当具体读写时,就选通列,给数据电容充电或放电。1个爆发读写完成后,就拨回precharge,给“供能电容”补足电能。因为“供能电容”在active时要被消耗能量并且也存在自漏电问题,所以有了资料上的(active to precharge command)tRAS 收藏 评论 分享 举报

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